A memória flash revolucionou amplamente a maneira como lidamos com o armazenamento do computador e permitiu computadores mais rápidos e menores, mais seguros contra a perda de dados, devido ao fato de não exigirem partes móveis. Você pode não saber, no entanto, que há mais de um tipo de memória flash - e, embora possam ser semelhantes, existem algumas diferenças importantes.
Antes de mergulharmos nos diferentes tipos de armazenamento NAND, é importante entender o que é realmente o NAND, ou armazenamento flash. O NAND é essencialmente um meio de armazenamento não volátil que não precisa de energia para reter dados - ao contrário de outros meios de armazenamento. NAND pode, no entanto, existir em vários tipos diferentes.
Mas quais são esses tipos diferentes? E por que alguns são melhores que outros? Aqui está uma visão geral de cada um dos principais tipos de memória flash e por que eles são diferentes.
SLC
O armazenamento SLC, armazenamento de célula de nível único AKA, é o tipo mais comum de armazenamento flash - e o mais rápido. Para entender o armazenamento em célula de nível único, primeiro você precisa entender como o armazenamento de dados funciona.
Em termos gerais, o armazenamento flash funciona através de transistores existentes em um dos dois estados - o que representa 1 ou 0. Quando muitos desses transistores, ou células, que armazenam o que é chamado de bits, são unidos, eles armazenam dados. É isso que os dados são - cadeias de bits, cada uma das quais é 1 ou 0.
Devido ao fato de que cada célula armazena apenas um bit, os dados podem ser acessados muito mais rapidamente do que outros tipos de armazenamento flash - no entanto, o trade-off é que o armazenamento SLC normalmente oferece capacidades de dados mais baixas. O armazenamento em célula de nível único também possui o custo mais alto.
O armazenamento em célula de nível único é frequentemente usado em cartões de memória de alto desempenho e outras situações críticas.
MLC
MLC, ou célula multinível, é um tipo de elemento de memória no qual mais de um bit de informação pode ser armazenado em cada célula. Em outras palavras, cada célula possui vários níveis, o que significa que mais bits podem ser armazenados com o mesmo número de transistores.
Então, por que isso é diferente de outros tipos de armazenamento? Bem, na tecnologia de flash NAND de célula de nível único, um transistor pode existir em um dos dois estados - o que equivale a 1 ou 0, significando que cada transistor representa um bit.
Claro, há uma troca - e essa é a velocidade da memória. O principal benefício da tecnologia MLC é que ela oferece um menor custo por unidade de armazenamento, o que, por sua vez, leva a uma maior densidade de dados pelo mesmo preço.
eMLC
Há um tipo secundário de armazenamento MLC, chamado eMLC, ou célula multinível corporativa. Esse tipo de armazenamento foi aprimorado para mais ciclos de gravação do que o armazenamento flash MLC tradicional, voltado para o consumidor. O armazenamento MLC de nível consumidor geralmente oferece apenas entre 3.000 e 10.000 ciclos de gravação, enquanto as células eMLC podem oferecer até 20.000 ou até 30.000 ciclos de gravação. O eMLC geralmente tem uma vida útil mais longa devido a um controlador avançado que opera a célula.
TLC
As células de nível único e multinível não são o único tipo de armazenamento flash. Talvez um nome melhor para armazenamento em células com "vários níveis" seja "célula com dois níveis", pois o armazenamento com células em três níveis na verdade tem seu próprio nome.
Como o nome sugere, o armazenamento em célula de nível triplo armazena uma quantidade considerável de três bits de informação por célula. Essa tecnologia foi desenvolvida pela Samsung e a Samsung se refere a ela como MLC de 3 bits.
Tudo o que é ruim no armazenamento MLC, no entanto, é amplificado com o armazenamento TLC - ou seja, o armazenamento TLC tem um custo ainda mais baixo, mas é ainda mais lento e menos confiável.
Encerramento
Há uma tendência aqui - quanto mais níveis, menos oneroso -, mas também, quanto mais níveis, mais lento e menos confiável é o meio de armazenamento. O armazenamento em célula de nível único é, de longe, o melhor tipo de armazenamento flash, mas pode não ser o melhor para todas as situações - às vezes, é necessário obter mais armazenamento com desempenho ligeiramente inferior.
